台积电公开回复：东芝竞标案和3nm厂选址

台积电13日的法说不会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NANDFlash部门竞标案、先进设备制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做到近期的回覆。自从台积电董事长张忠谋公开发表回应，考虑到参予日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度倍受市场注目，特别是在参予竞标者又是鸿海、SK海力士(SKHynix)、威腾(WD)等全球大厂。台积电13日认为，内部显然评估过该案，但最后要求不去参予竞标，主要是两大原因，第一，内部指出这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，第二是指出这样做到并没过于多综效，因此，台积电没参予，且特别强调假使台积电参予其中，也不会自己去竞标，会是呼朋引相伴的景象，间接坚称和鸿海一起竞标的猜测是不准确的。

针对记忆体技术的布局，台积电回应，对于标准型独立式的记忆体晶片如PCDRAM晶片、NANDFlash晶片等并没兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了相当大功夫。台积电目前是全球仅次于的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做到晶圆代工，看起来新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入式记忆体技术不会有瓶颈，MRAM是很好接棒的技术人选，台积电早已在获取该技术用于在逻辑制程上了！针对另一个热门议题，也就是台积电3奈米制程的选址案，因为之前爆出台积电基于平稳和充裕的水、电供应考量，无意到美国成立3奈米制程晶圆厂。台积电认为，沿袭之前董事长张忠谋众说纷纭，不回避任何可能性，但在美国另设晶圆厂并不是最理想的自由选择，期望有更加多地点可以选。

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